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InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
产品名称:InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP ) 产品参数:薄膜生长方法:MOCVD deposition基底参数:N型掺S
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InP上镀InGaAs薄膜
产品名称:InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)常规尺寸:dia 2" ;单抛标准包装:技术参数:1000级超净室100级超净
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InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
产品名称:?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating)常规尺寸:dia 2" InP晶向:掺杂类型:掺Fe ;半绝缘型电阻率
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磷化铟(InP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用固体激光器InP刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
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立鼎光电ID230 InGaAs/InP红外单光子探测器
西安立鼎光电是瑞士IDQ中国区代理,IDQ产品包含可见光APD单光子探测器、近红外APD单光子探测器、时间相关单光子计数器(TCSPC)、1550nm激光器以及超导纳米线单光子探测器(SNSPD)等
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InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
产品名称:InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP ) 产品参数:薄膜生长方法:MOCVD deposition基底参数:N型
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InP上镀InGaAs薄膜
产品名称:InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)常规尺寸:dia 2" ;单抛标准包装:技术参数:1000级超净室100
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